在半導體行業中，硅單晶的電阻率是衡量其性能的關鍵指標。硅單晶電阻率的常規測試方法，包括接觸法和無接觸法兩大類。
接觸法：直接且可靠的電阻率測量
接觸法是通過直接接觸樣品表面來測量電阻率的方法。主要包括以下幾種：
兩探針法：適用于低電阻率樣品。通過兩個接觸探針測量電流和電壓，計算電阻率。但這種方法對高電阻率樣品可能不夠準確。
四探針法：適用于不同形狀和尺寸的硅樣品。使用四個接觸探針，通過測量樣品上的電流和電壓來計算電阻率，是測量材料電阻率的常用方法。
擴展電阻法：適用于已知晶體晶向和導電類型的硅片。通過測量重復形成的點接觸的擴展電阻，再利用校準曲線確定電阻率。
范德堡法（van der Pauw）：適用于任意形狀的二維樣品，能夠精確測量樣品的電阻率和霍爾系數。
Hall效應測量：通過施加外部磁場，測量垂直于電流方向和磁場方向的霍爾電勢，從而計算得到電阻率和載流子濃度。
無接觸法：非侵入式的電阻率測量
無接觸法是通過非接觸方式測量電阻率的方法。主要包括以下幾種：
渦流法：基于法拉第電磁感應原理，通過在導體表面產生交變磁場，利用渦流在導體內部產生的感應電磁場來推斷導體的電阻率。
C-V法：廣泛用于測量半導體參數，尤其是MOS CAP和MOSFET結構。可以確定二氧化硅層厚度、襯底摻雜濃度等參數。
選擇合適的測量方法
不同的測試方法有其特定的適用范圍和優缺點。在實際操作中，應根據具體的測試需求和條件選擇合適的方法。例如，對于高電阻率樣品，可能需要采用四探針法或范德堡法；對于非接觸式測量，渦流法或C-V法可能是更好的選擇。
在進行硅單晶電阻率測試時，建議參考國家標準GB/T 1551-2021。
無論是接觸法還是無接觸法，每種方法都有其獨特的應用場景和優勢。蘇州同創電子有限公司提供的四探針測試儀SZT-2C等產品，正是基于這些測量原理，為用戶提供精確、可靠的電阻率測量解決方案。